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Capacitance Extraction of 34-nm Metallurgical Channel Length MOSFET for Parasitic Assessment Using the RFCV Technique

  • Diego R. Benalcazar
  • , Esteban Garzon
  • , Lionel Trojman
  • Universidad San Francisco de Quito

Producción científica: Capítulo del libro/informe/acta de congreso › Contribución a la conferencia › revisión exhaustiva

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Capacitance Extraction of 34-nm Metallurgical Channel Length MOSFET for Parasitic Assessment Using the RFCV Technique'. En conjunto forman una huella única.
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