Fundamentals and extraction of velocity saturation in sub-100nm (110)-Si and (100)-Ge

L. Pantisano, L. Trojman, J. Mitard, B. DeJaeger, S. Severi, G. Eneman, G. Crupi, T. Hoffmann, I. Ferain, M. Meuris, M. Heyns

Producción científica: Capítulo del libro/informe/acta de congresoContribución a la conferenciarevisión exhaustiva

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Resumen

A novel RFCV-technique is applied to directly quantify the short channel devices at high Vds, enabling parameter extraction like velocity saturation and critical field. This technique is applied to benchmark Si (110) and Si(100) as well as Ge devices. Similarities and crucial differences between short channel parameters in Si and Ge are discussed.

Idioma originalInglés
Título de la publicación alojada2008 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers, VLSIT
Páginas52-53
Número de páginas2
DOI
EstadoPublicada - 2008
Publicado de forma externa
Evento2008 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers, VLSIT - Honolulu, HI, Estados Unidos
Duración: 17 jun. 200819 jun. 2008

Serie de la publicación

NombreDigest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology
ISSN (versión impresa)0743-1562

Conferencia

Conferencia2008 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers, VLSIT
País/TerritorioEstados Unidos
CiudadHonolulu, HI
Período17/06/0819/06/08

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Fundamentals and extraction of velocity saturation in sub-100nm (110)-Si and (100)-Ge'. En conjunto forman una huella única.

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