High performing 8 Å EOT HfO2 / TaN low thermal-budget n-channel FETs with Solid-Phase Epitaxially Regrown (SPER) junctions

L. Å Ragnarsson, S. Severi, L. Trojman, D. P. Brunco, K. D. Johnson, A. Delabie, T. Schram, W. Tsai, G. Groeseneken, K. De Meyer, S. De Gendt, M. Heyns

Producción científica: Capítulo del libro/informe/acta de congresoContribución a la conferenciarevisión exhaustiva

21 Citas (Scopus)

Resumen

We demonstrate high-performing n-channel transistors with a HfO 2/TaN gate stack and a low thermal budget process (570°C anneal). The thinnest devices have an EOT of 8.3 Å, a leakage current of 2.6 A/cm2 at VG=1 V, and a drive-current of 815 μA/μm at an off-state current of 0.1 μA/μm for VDD=1-2 V We show that the performance improvement over identical gate-stacks processed with a 1000°C spike anneal is related to a difference in VT.

Idioma originalInglés
Título de la publicación alojada2005 Symposium on VLSI Technology, Digest of Technical Papers
Páginas234-235
Número de páginas2
DOI
EstadoPublicada - 2005
Publicado de forma externa
Evento2005 Symposium on VLSI Technology - Kyoto, Japón
Duración: 14 jun. 200514 jun. 2005

Serie de la publicación

NombreDigest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology
Volumen2005
ISSN (versión impresa)0743-1562

Conferencia

Conferencia2005 Symposium on VLSI Technology
País/TerritorioJapón
CiudadKyoto
Período14/06/0514/06/05

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'High performing 8 Å EOT HfO2 / TaN low thermal-budget n-channel FETs with Solid-Phase Epitaxially Regrown (SPER) junctions'. En conjunto forman una huella única.

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