RF split capacitance-voltage measurements of short-channel and leaky MOSFET devices

E. San Andrés, L. Pantisano, J. Ramos, S. Severi, L. Trojman, S. De Gendt, G. Groeseneken

Producción científica: Contribución a una revistaArtículorevisión exhaustiva

22 Citas (Scopus)

Resumen

In this letter, the feasibility of split-capacitance-voltage (C-V) measurements in the RF range is demonstrated. These RF/split-C-V measurements show excellent agreement with the values obtained by the low-frequency conventional technique but without presenting any noticeable degradation due to gate leakage.

Idioma originalInglés
Páginas (desde-hasta)772-774
Número de páginas3
PublicaciónIEEE Electron Device Letters
Volumen27
N.º9
DOI
EstadoPublicada - sep. 2006
Publicado de forma externa

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'RF split capacitance-voltage measurements of short-channel and leaky MOSFET devices'. En conjunto forman una huella única.

Citar esto