Temperature study of defect generation, under channel hot carrier stress for 35-nm gate length MOSFETs using the Defect-Centric perspective

L. M. Procel, L. Trojman, F. Crupi

Producción científica: Capítulo del libro/informe/acta de congreso › Contribución a la conferencia › revisión exhaustiva

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Temperature study of defect generation, under channel hot carrier stress for 35-nm gate length MOSFETs using the Defect-Centric perspective'. En conjunto forman una huella única.

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