Huella
Profundice en los temas de investigación de 'Threshold voltage degradation for n-channel 4H-SiC power MOSFETs'. En conjunto forman una huella única.- Clasificar por
- Ponderación
- Alfabéticamente
Threshold voltage degradation for n-channel 4H-SiC power MOSFETs
Esteban Guevara, Victor Herrera-Pérez, Cristian Rocha, Katherine Guerrero
Producción científica: Contribución a una revista › Artículo › revisión exhaustiva
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Citas
(Scopus)