Understanding and importance of defects in advanced materials

Luigi Pantisano, L. Trojman, M. Aoulaiche, R. O'Connor, B. Kaczer, G. Groeseneken

Producción científica: Capítulo del libro/informe/acta de congresoContribución a la conferenciarevisión exhaustiva

1 Cita (Scopus)

Resumen

Aggressive CMOS scaling and device performance enhancement has been pursued through the use of advanced dielectric and substrate materials. High-k dielectric materials are the key to both dramatically reduce the standby leakage current (and thus power consumption) and to enable the use of high mobility substrates (Ge, III-V, etc). Critical for obtaining high device performance and satisfactory reliability are the interfacial quality and the bulk defect control. In this paper, electrical characterization techniques, analyzing the nature and impact of defects on device performance and reliability, are presented.

Idioma originalInglés
Título de la publicación alojadaECS Transactions - ISTC/CSTIC 2009 (CISTC)
Páginas651-658
Número de páginas8
Edición1 PART 2
DOI
EstadoPublicada - 2009
Publicado de forma externa
EventoISTC/CSTIC 2009 (CISTC) - Shanghai, China
Duración: 19 mar. 200920 mar. 2009

Serie de la publicación

NombreECS Transactions
Número1 PART 2
Volumen18
ISSN (versión impresa)1938-5862
ISSN (versión digital)1938-6737

Conferencia

ConferenciaISTC/CSTIC 2009 (CISTC)
País/TerritorioChina
CiudadShanghai
Período19/03/0920/03/09

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Understanding and importance of defects in advanced materials'. En conjunto forman una huella única.

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